SK海力士季度营收突破350亿美元创纪录，AI内存需求打破季节性规律

新闻摘要

SK海力士于4月23日（韩国标准时间）公布了创纪录的2026年第一季度财务业绩，营业利润同比激增五倍，达到37.6万亿韩元（约合254亿美元），季度营收超过52.58万亿韩元（355.7亿美元），这是该公司首次在单一季度内营收突破50万亿韩元大关。公司将这一非凡表现归因于对人工智能基础设施的持续、广泛投资，这抵消了内存芯片行业典型的季节性放缓。专为人工智能服务器工作负载设计的HBM（高带宽内存）芯片成为主要的增长引擎，而由于供需关系紧张，传统DRAM和NAND Flash的价格也大幅上涨。

创纪录的营收和盈利能力

SK海力士2026年第一季度的业绩远超分析师的普遍预期。52.58万亿韩元（355.7亿美元）的营收比去年同期增长了198%，比2025年第四季度增长了约60%。37.6万亿韩元的营业利润带来了约72%的营业利润率，这是主要半导体制造商有史以来记录到的最高利润率之一。净利润达到40.3万亿韩元（272亿美元），大幅超过彭博社分析师预测的29.4万亿韩元。公司在周四（韩国标准时间）的财报电话会议上指出，客户目前优先考虑内存采购而非价格谈判，这凸显了当前供应环境的紧张。

HBM成为增长的核心

高带宽内存已成为SK海力士近期财务轨迹的关键产品类别。HBM芯片是堆叠式内存架构，可提供比传统DRAM高得多的数据吞吐量，使其成为用于模型训练和实时推理的人工智能加速器系统中不可或缺的组件。SK海力士的HBM年营收同比增长超过200%。该公司目前正在开发第六代技术HBM4，预计将成为英伟达下一代Vera Rubin GPU架构的主要人工智能内存组件——该平台专为先进的人工智能数据中心工作负载而设计。SK海力士也与另一家内存芯片制造商三星电子一起，为该平台向英伟达供应HBM。

更广泛的内存市场动态

除了HBM之外，更广泛的内存市场也经历了显著的价格回升。根据市场研究公司TrendForce的数据，2026年第一季度（中国标准时间报告期），传统DRAM合同价格环比上涨90%至95%，而NAND Flash合同价格上涨55%至60%。分析师预计2026年第二季度将进一步上涨，DRAM预计将再上涨58%至63%，NAND Flash可能上涨70%至75%。2026年4月初的一份新韩证券报告指出，预计供过于求的状况将持续到年底，这将使内存供应商在与买家谈判中保持定价优势。据报道，SK海力士还与主要科技客户签订了三年或更长的长期供应协议，以确保稳定的需求可见性。

人工智能推理需求不断扩大

SK海力士高管在2026年第一季度财报电话会议（韩国标准时间）上强调了人工智能计算的结构性转变：行业正从大规模模型训练转向他们称之为“代理式AI”——即在众多服务环境中同时执行重复性、实时推理任务的系统。这种转变预计将增加每次人工智能部署的内存需求，因为推理工作负载在分布式基础设施上持续运行，而不是在离散的训练周期中运行。公司表示，随着这一转变的加速，高性能内存的战略重要性将成比例增长，从而支持HBM和大型服务器DRAM模块的有利长期需求前景。

资本投资和产能扩张

为满足不断增长的需求，SK海力士宣布计划在韩国的一家新半导体制造工厂投资19万亿韩元。据报道，该公司还在准备一份保密的申请，计划于2026年下半年在美国首次公开募股（IPO），可能发行2%至3%的股份，筹集高达140亿美元。这笔资金将用于资助在韩国和美国印第安纳州增加芯片制造产能——这些工厂将专注于满足人工智能数据中心的需求。这些资本承诺反映了行业对人工智能驱动的内存需求在可预见的未来将保持结构性高位的广泛信心。